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IFM接近開關接線圖/IFM接近開關/IFM接近開關技術資料
當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為
U=K•I•B/d
其中K為霍爾系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫慈力Lorrentz）的磁感應強度，d是薄片的厚度。
由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。
IFM開關就屬于這種有源磁電轉換器件，它是在霍爾效應原理的基礎上，利用集成封裝和組裝工藝制作而成，它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號，同時又具備工業(yè)場合實際應用易操作和可靠性的要求。
IFM開關的輸入端是以磁感應強度B來表征的，當B值達到一定的程度（如B1）時，霍爾開關內部的觸發(fā)器翻轉，霍爾開關的輸出電平狀態(tài)也隨之翻轉。輸出端一般采用晶體管輸出，和其他傳感器類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙信號輸出之分。
IFM開關具有無觸電、低功耗、長使用壽命、響應頻率高等特點，內部采用環(huán)氧樹脂封灌成一體化，所以能在各類惡劣環(huán)境下可靠的工作?；魻栭_關可應用于接近傳感器、壓力傳感器、里程表等，作為一種新型的電器配件。IFM接近開關接線圖,IFM接近開關，IFM接近開關技術資料
線性接近傳感器的原理
工作原理：
IFM線性接近傳感器是一種屬于金屬感應的線性器件，接通電源后，在傳感器的感應面將產(chǎn)生一個交變磁場，當金屬物體接近此感應面時，金屬中則產(chǎn)生渦流而吸取了振蕩器的能量，使振蕩器輸出幅度線性衰減，然后根據(jù)衰減量的變化來完成無接觸檢測物體的目的。
該接近傳感器具有無滑動觸點，工作時不受灰塵等非金屬因素的影響，并且低功耗，長壽命，可使用在各種惡劣條件下。線性傳感器主要應用在自動化裝備生產(chǎn)線對模擬量的智能控制。
電感式接近開關
工作原理
IFM接近開關由三大部分組成：振蕩器、開關電路及放大輸出電路。振蕩器產(chǎn)生一個交變磁場。當金屬目標接近這一磁場，并達到感應距離時，在金屬目標內產(chǎn)生渦流，從而導致振蕩衰減，以至停振。振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉換成開關信號，觸發(fā)驅動控制器件，從而達到非接觸式之檢測目的。
IFM接近開關有兩種安裝方式：齊平安裝和非齊平安裝。
齊平安裝：接近開關頭部可以和金屬安裝支架相平安裝。
非齊平安裝：接近開關頭部不能和金屬安裝支架相平安裝。
一般，可以齊平安裝的接近開關也可以非齊平安裝，但非齊平安裝的接近開關不能齊平安裝。這是因為，可以齊平安裝的接近開關頭部帶有屏蔽，齊平安裝時，其檢測不到金屬安裝支架，而非齊平安裝的接近開關不帶屏蔽，當齊平安裝時，其可以檢測到金屬安裝。正因為如此，非齊平安裝的接近開關的靈敏度比齊平安裝的靈敏度要大些，在實際應用中可以根據(jù)實際需要選用。
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